“陳總，盧總，首先是陸教授那邊最新研發的凌霄H4處理器，上個禮拜已經從TS正式流片封裝回來了。我們工程團隊這幾天加班加點，已經把首批晶片貼片裝到了Znote5的EVT工程樣機上，正在進行高強度的底層聯調測試。”
“不過陳總，從目前我們跑出來的實驗室資料來看，這顆凌霄H4除了在影像端新增了獨立的雙12bit ISP影像訊號處理器，以及把大核最高主頻調變拉高到了2.4GHz之外，在CPU底層微架構和能耗比上，其他的升級幅度並不算太大。目前工程組正在抓緊時間做溫控曲線和頻率排程的摸底測試。”
坐在辦公桌後的陳星拿起其中一臺工程機，按亮螢幕看了一眼底層硬體資訊，神色平靜地點了點頭：
“我明白，實際情況我前兩天聽陸教授彙報過了。”
對於這顆被命名為凌霄H4的晶片，陳星心裡的預期一直很客觀。
嚴格來說，這顆對外命名為凌霄H4的晶片，如果按照紅星內部的技術迭代標準，稱呼它為“凌霄H3 Pro”或者“凌霄H3 Plus”其實更加合適。
跟上個月王藤在閃耀K30上用的那顆超頻版凌霄H3相比，這顆凌霄H4在核心CPU微架構上並沒有做推倒重來的大改動，依然採用的是臺積電成熟的28nHP藝製程。
受限於目前的晶圓代工成本和半導體制程工藝瓶頸，陸遠江的團隊並沒有在這顆走量的旗艦晶片上進行大刀闊斧的激進改動。
除了微調核心主頻、換上更強的雙ISP之外，最主要的改動就是把記憶體控制器進行了升級，支援的記憶體頻寬由原本的LPDDR3 12.2GB/s，提升到了更快的LPDDR3 14.6GB/s，而底層的製造工藝，依然穩紮穩打地沿用了臺積電最成熟的製程。
“陳總，受限於今年的工藝節點，陸教授團隊在凌霄H4上走的是穩紮穩打的路線。”
陳星輕輕點了點頭，手指在工程機的背板上摸了摸：“理解。今年和明年上半年，是整個移動半導體行業最難熬的工藝斷代期，穩一點是對的。”
至於為什麼不在CPU製程上直接一步到位衝上最新的20n藝？
這裡頭就不得不提到整個全球智慧手機行業，在2014年到2015年即將迎來的那場至暗時刻了。
對於全球所有的晶片設計公司和手機廠商而言，2014年和2015年，註定是極其難熬的兩年。
原因很簡單，摩爾定律在平面電晶體時代，已經徹底撞上物理極限的南牆了。
統治了行業兩年的28nHP藝，潛力已經被榨乾到了極致。
如果繼續在28n強行拉高核心主頻、堆砌電晶體數量，必然會導致嚴重的柵極漏電現象，隨之而來的就是功耗失控、發熱爆炸。
為了突破28n限制，TS今年確實量產了全新的20n面工藝。
水果下半年的A8晶片，以及高通那邊正在緊鑼密鼓籌備的驍龍810，全都一窩蜂地撲向了臺積電的20n線。
但只有真正經歷過這一切的陳星清楚，20n平面工藝，完全就是一個徹頭徹尾的半吊子陷阱！
在沒有引入三維立體結構之前，20n面工藝的絕緣層非常薄，電子隧穿效應帶來的靜態漏電比28n要恐怖得多。
稍微一跑高負載任務，晶片核心溫度瞬間就飆升，緊接著就是瘋狂降頻鎖核。
前世高通的驍龍810為什麼會化身“火龍”，在2015年把一眾安卓旗艦機型燒得屍橫遍野？
罪魁禍首就是TS這代不成熟的20n面工藝！
（當然，這裡有點絕對了，還有核心，強行64位等因素。）
目前整個半導體行業，其實都在苦苦等待臺積電和三星16n14nFinFET的3D立體工藝能夠真正走向成熟量產。
在這段青黃不接的真空期裡，對紅星而言同樣是比較難過的。
所以在陳星的親自幹預下，陸教授的團隊放棄了去趟20n面工藝的渾水，只在凌霄H4上做了外圍ISP和記憶體頻寬的小幅迭代，把功耗控制在安全線內，是最穩妥的做法。
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